Los transistores HEMT GaN para amplificadores de potencia RF CG2H40xx y CG2H30070 se pueden emplear en comunicaciones militares, radares y aplicaciones RF comerciales en entornos industriales, sanitarios y científicos.
Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock de los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de Nitruro de Galio (GaN) CG2H40xx y CG2H30070 de Wolfspeed, una compañía perteneciente a la multinacional Cree.
Operando desde un carril de 28 V, los dos dispositivos GaN para comunicaciones militares ofrecen una solución versátil de banda ancha de propósitos generales para una gran variedad de aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y microondas.
Los GaN HEMT se caracterizan por su elevada eficiencia (62 por ciento con PSAT), su elevada ganancia y su amplio ancho de banda para satisfacer las necesidades de circuitos de amplificador lineal y comprimidos.
Los modelos CG2H40xx y CG2H30070 dotan de “la mejor fiabilidad de su clase” y se suministran en dos tipos de encapsulado: atornillado (screw-down flange) y soldado (solder-down pill). Con el mismo formato que los anteriores dispositivos de 0.4 µm, los nuevos transistores se pueden usar como su reemplazo directo en las aplicaciones existentes.
Estos GaN HEMT de elevada eficiencia ayudan a los diseñadores a aumentar el rendimiento de sus amplificadores RF de modo rápido y sencillo. Así, se convierten en una buena alternativa en comunicaciones militares, radares y aplicaciones RF comerciales en entornos industriales, sanitarios y científicos.
Diseños con los transistores HEMT GaN para amplificadores de potencia RF
Los transistores GaN HEMT CG2H40xx y CG2H30070 cuentan con el respaldo de las tarjetas de demostración CG2H4004F-TB y CG2H30070F-TB1 a la hora de evaluarlos. La herramienta de desarrollo CG2H4004F-TB opera con una frecuencia de DC a 4 GHz, mientras que la CG2H30070F-TB1 rinde entre 0.5 y 3 GHz.
