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Módulos amplificadores RF refrigerados en la parte superior para 5G

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Los módulos amplificadores A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC y A5M36TG140-TC, que simplifican los procesos de diseño y producción sin comprometer el rendimiento, permiten la llegada de unidades más delgadas y ligeras.

NXP Semiconductors anuncia una familia de módulos amplificadores RF refrigerados en la parte superior y diseñados para respaldar la llegada de radios más delgadas y ligeras en infraestructura 5G. Estas estaciones base compactas se pueden mover e instalar más fácilmente y fomentan un entorno más discreto.

Módulos amplificadores RF refrigerados en la parte superior para 5G

Combinados con las novedades en refrigeración para potencia RF, estos módulos multichip de nitruro de galio (GaN) no sólo ayudan a disminuir el grosor y el peso de la radio más de un 20 por ciento, sino también a reducir la huella de carbono en la producción y despliegue de estaciones base 5G.

“La refrigeración topside supone una oportunidad para la infraestructura inalámbrica, dotando de capacidad de alta potencia y rendimiento térmico en un subsistema RF más compacto”, comenta Pierre Piel, Vicepresidente y General Manager de Radio Power de NXP. “Esta innovación proporciona una buena alternativa en el despliegue de estaciones base más respetuosas con el medio ambiente y permite la densidad de red necesaria en proyectos 5G”.

Beneficios y ventajas

Los nuevos dispositivos enfriados por la parte superior aportan beneficios de diseño y fabricación, como la eliminación del protector de RF dedicado, el uso de una PCB optimizada y asequible y la separación de la gestión térmica del diseño de RF. Estas características ayudan a los proveedores de soluciones de red a crear radios 5G más delgadas y ligeras para los operadores de redes móviles, al tiempo que acortan su ciclo de diseño general.

Estos módulos de alimentación RF han sido desarrollados para radios 32T32R de 200 W que cubren el rango de 3,3 a 3,8 GHz. Los dispositivos combinan las tecnologías de semiconductor LDMOS y GaN de NXP para ofrecer ganancia y eficiencia con rendimiento de banda ancha, proporcionando una ganancia de 31 dB y una eficiencia del 46 por ciento sobre un ancho de banda de 400 MHz.

Los primeros modelos de la serie son el A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC y A5M36TG140-TC (con soporte de la tarjeta de referencia RapidRF de NXP).

Para finalizar, y obtener más información de los módulos amplificadores RF, puedes ponerte en contacto con el “Servicio al lector de NTDhoy”.

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