Infineon Technologies ha introducido una nueva serie de amplificadores de bajo ruido LTE y bancos Quad LNA para mejorar el ratio de datos en Smartphones.
LTE (4G) es el estándar para comunicación inalámbrica que permite ratios de datos de hasta 300 Mbps (en comparación con los 56 Mbps de UMTS-3G). Esto acelera la conexión a Internet sin aumentar el tiempo de carga y, por lo tanto, incrementa la satisfacción del usuario.
Sin embargo, cumplir las expectativas del usuario en ratios de datos LTE es uno de los grandes retos de los actuales dispositivos móviles. La creciente complejidad del front end RF conlleva el uso de más componentes RF, como switches, duplexores y divisores y esto se traduce en pérdidas y deterioro de la relación señal / ruido (SNR). Además, la distancia entre las antenas y el transceptor provoca una pérdida de línea adicional que también afecta al SNR y, consecuentemente, al ratio de datos.
Las familias BGA7x1N6 y BGM7xxxx4L12 de amplificadores de bajo ruido LTE aportan una baja figura de ruido, la ganancia exacta y la linealidad necesaria para ayudar a los diseñadores de Smartphone a superar sus retos.
Estos LNAs se basan en la avanzada tecnología de chip SIGe (silicio germanio) e incluye protección ante descarga electrostática (ESD).
Los nuevos amplificadores de bajo ruido LTE y bancos se ubican en el path de antena del teléfono con la intención de incrementar la sensibilidad de sistema y garantizar la mejor experiencia posible del usuario. De esta forma, se explota el potencial de LTE y los ratios de datos son un 96 por ciento superiores que en soluciones sin LNA.
La elevada linealidad de las nuevas series asegura una recepción de señal óptima, incluso en condiciones de antena mal aislada o pérdidas de línea entre la propia antena y el transceptor.
La sensibilidad típica aumenta en 3.4 dB respecto a sistemas sin LNA en dispositivos con un encapsulado un 70 por ciento menor (1.1 x 0.7 mm) que LNA previos y un 61 por ciento inferior (1.9 x 1.1 mm) que bancos LNA anteriores.
Modelos de amplificadores de bajo ruido LTE
Infineon ofrece tres LTE LNA (BGA7L1N6, BGA7M1N6 y BGA7H1N6) y siete bancos Quad LNA (BGM7LLHM4L12, BGM7LLMM4L12, BGM7MLLH4L12, BGM7MLLM4L12, BGM7LMHM4L12, BGM7HHMH4L12 y BGM7MHLL4L12) para responder a las configuraciones de banda demandadas en diferentes regiones.
Los nuevos amplificadores de bajo ruido LTE se suministran en encapsulados plásticos TSNP-6-2 o TSLP 12-4 compatibles con RoHS.
