Fruto de la colaboración de Renesas y AMD, el front-end incluye interruptores RF, LNA y precontroladores para ofrecer una solución completa.
Renesas Electronics, fabricante de semiconductores avanzados, tiene previsto mostrar una solución front end RF para radios Active Antenna Systems (AAS) 5G en colaboración con AMD, en el transcurso del Mobile World Congress, que se celebra del 27 de febrero al 2 de marzo en Barcelona.
Así, emparejado con el AMD Zynq UltraScale+ RFSoC Digital Front End OpenRAN Radio (O-RU) Reference Design, el front end RF incluye interruptores RF, amplificadores de bajo ruido (LNA) y precontroladores. Ofrece una solución completa que responde a la demanda del creciente mercado de infraestructura de red móvil.
La nueva plataforma de diseño 5G integra todo el hardware front–end RF y digital para aquellas estaciones base que operan en el ecosistema Open Radio Access Network (O-RAN). Incluye un interruptor DPD (Digital Pre–Distortion) multi–throw de elevado aislamiento y un precontrolador de alta ganancia y linealidad en un encapsulado compacto, un interruptor y un LNA con funcionalidad de acople de señal de entrada.
Aplicaciones para los diseñadores
En principio, esta plataforma front end RF se diseñó para procesar y transmitir datos de forma eficiente a las redes inalámbricas con niveles de alimentación optimizados. Además, se ha integrado con el AMD RFSoC DFE ZCU670 Evaluation Kit para prototipado y desarrollo rápidos de sistemas de redes inalámbricas.
Proporciona un rendimiento RF superior y, al mismo tiempo, minimiza los recursos de DPD para linealización de canal TX, mejorando la eficiencia de radio y reduciendo los costes operativos de los proveedores de redes inalámbricas.
El front–end RF es la última novedad 5G en desarrollarse conjuntamente por Renesas y AMD. Previamente, las dos compañías han cooperado en una solución de sincronización RF de alto rendimiento para 5G Next-Gen Radio (5G NR), que incorpora el System Synchronizer IEEE 1588 como parte del DFE ZCU670 Evaluation Kit.
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