Estos nuevos módulos multi-Chip de RF para infraestructura 5G mMIMO aportan mejoras en frecuencia, potencia y eficiencia.
NXP Semiconductors anuncia la disponibilidad de su segunda generación de Módulos Multi-Chip (MCM) de alimentación RF Airfast que está diseñada para soportar la evolución de los requisitos de sistemas de antena activa 5G mMIMO para estaciones base móviles.
Dirigida a ampliar la cobertura de 5G, la nueva familia de módulos amplificadores de potencia “todo en uno” se basa en la última tecnología LDMOS de NXP que ofrece mejoras en potencia de salida, rango de frecuencia y eficiencia, con el mismo formato que la generación anterior.
Seleccionado recientemente por NEC Rakuten Mobile en Japón, el nuevo módulo Airfast AFSC5G26E38 es un buen ejemplo del aumento de rendimiento de esta nueva generación. Proporciona un 20 por ciento más de potencia de salida, satisfaciendo la necesidad de una mayor cobertura 5G por cada torre de estación base, sin aumentar el tamaño de la radio.
También destaca por una eficiencia añadida del 45 por ciento, 4 puntos por encima de la anterior generación, contribuyendo así a reducir el consumo de electricidad en redes 5G. Y, gracias a la tecnología LDMOS, cumplen los requisitos de la banda C de 3,7 a 4 GHz.
Catálogo de módulos Multi-Chip para la expansión de 5G
Los MCM de NXP incluyen circuitos integrados LDMOS, emparejados a un divisor y combinador Doherty y un in/out matching de 50 Ω. Este nivel de integración elimina la complejidad de RF y muchos pasos del prototipado y reduce el número de componentes.
La segunda generación complementa la serie inicial lanzada el año pasado, extendiendo la frecuencia y los niveles de potencia.
Ambas generaciones comparten el mismo formato de patillaje de salida para facilitar la transición entre ellas y minimizar el tiempo de desarrollo.
La nueva generación de MCM Airfast consta de diez dispositivos de 2,3 a 4 GHz, con una potencia de salida media de 37 a 39 dBm. Cuentan con el soporte de la RF Circuit Collection de NXP, una librería digital de los circuitos de referencia de potencia RF.
