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Transistor RF de elevada potencia

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El nuevo transistor RF de elevada potencia para entornos industriales y profesionales BLC2425M10LS500P de 500 W es ideal en aplicaciones pulsadas y CW en el rango de frecuencia de 2400 a 2500 MHz.

Ampleon anuncia su transistor de potencia RF LDMOS BLC2425M10LS500P de 500 W que está especialmente diseñado para aplicaciones pulsadas y CW, ya que operan en el rango de frecuencias de 2400 a 2500 MHz.

Ideal en una amplia gama de aplicaciones de energía RF en entornos industriales y comerciales y cocinas, el BLC2425M10LS500P tiene una excelente relación entre potencia y formato al ofrecer CW de 500 W en un encapsulado plástico con cavidad de aire SOT1250.

Además, con una eficiencia del 67 por ciento, una de las mejores de su clase, garantiza el rendimiento demandado en muy diversas aplicaciones. Este nivel de eficiencia también mantiene la capacidad de refrigeración requerida al mínimo y reduce el consumo y los costes operativos de equipos finales.

Otras propiedades del transistor RF de elevada potencia

Transistor RF de elevada potenciaAl igual que el anterior transistor de elevada potencia RF BLF189XRA, este nuevo transistor también destaca por un diseño robusto que puede rendir con una VSWR 10:1 en todas las fases, contribuyendo así a simplificar el diseño de sistema y la circuitería de protección.

La integración del BLC2425M10LS500P se facilita mediante entradas y salidas.

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