Los nuevos transistores de potencia RF Si LDMOS de 50 V para VHF y UHF, modelos BLF974P (500 W) y BLF978P (1200 W), alcanzan una eficiencia del 80 por ciento.
Ampleon anuncia dos incorporaciones a su línea de transistores de potencia RF de alta eficiencia Si LDMOS de 50 V de novena generación.
Diseñados para uso en amplificadores de potencia RF y capaces de desarrollar cientos de kilovatios, los modelos BLF974P y BLF978P aportan mejoras en eficiencia y ganancia.
Ambos transistores de potencia RF ofrecen una eficiencia de hasta el 80 por ciento a 225 MHz bajo una operación Clase AB. La eficiencia es un aspecto muy importante de los sistemas RF con salida de kilovatios ante la necesidad de una gestión térmica efectiva.
Además, las aplicaciones industriales y científicas priorizan el diseño térmico como un elemento crítico para aumentar la fiabilidad de sistema y la eficiencia.
La elevada potencia y ganancia de los transistores permite escalar el amplificador al nivel requerido en aplicaciones industriales y científicas. El BLF974P de 500 W y el BLF978P de 1200 W tienen una ganancia típica de 25 dB con un rango de frecuencia de 225 a 700 MHz.
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